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2011年考研上海交大半导体物理与器件真题

日期：04-06 15:50:02| 历年真题|45教学网| http://www.45sw.com

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20xx年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来，难免有所疏漏，仅供参考。

一、

1.半导体能带形成原因

2.绝缘体导体半导体能带图

3.算一个半导体的吸收限

二、算扩散电流

编辑推荐:

三、

1.基区宽度调变效应

2.根据基区宽度调变效应的计算

四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数

五、算mos管的跨导

六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化

七、算有效阈值电压与阈值电压的差值

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